K4B4G1646D-BCK0各種計算環境:
三星K4B4G1646D-BCK0業界首款DDR3開發于2005年，是最常用的系統解決方案，從個人電腦和家用電器到汽車和醫療設備。
高速和高性能
- DDR2的帶寬加倍
三星K4B4G1646D-BCK0的增強帶寬和可靠性推動了廣泛的應用，如筆記本電腦，臺式機和包括汽車在內的工業解決方案，所有這些都是DDR2的兩倍。
低功耗，高效的DRAM解決方案
- 與DDR2相比，功耗降低了30％
三星K4B4G1646D-BCK0業界首款30納米級DRAM功耗更低，與上一代產品相比，功耗降低了30％，從而降低了總體擁有成本。
K4B4G1646D-BCK0的特征：
•可編程CAS延遲（CAS）：5,6,7,8,9,10,11,12,13
•可編程附加延遲：0，CL-2或CL-1時鐘
•可編程CAS寫延遲（CWL）= 5（DDR3-800），6
•內部（自校準）：通過ZQ引腳進行內部自校準
（RZQ：240歐姆±1％）
•使用ODT引腳進行裸片端接
•在低于T平均更新周期7.8us 85?C，3.9us在85C<TCASE<95C
•支持工業溫度（-40~95°C）- tREFI 7.8us，-40°C≤TCASE≤85°C，- tREFI 3.9us，85°C <TCASE≤95°C
•異步復位
K4B4G1646D-BCK0技術規格：
Kynix部分＃ KY32-K4B4G1646D-BCK0
制造商零件編號 K4B4G1646D-BCK0
制造商 三星
數量 4600 PCS
無鉛 無鉛
RoHS： 符合RoHS標準
接口類型 SSTL_1.5
DRAM類型 DDR3 SDRAM
最大時鐘頻率（MHz） 1600
地址總線寬度（位） 18
最低工作電源電壓（V） 1.425
典型工作電源電壓（V） 1.5
最大工作電源電壓（V） 1.575
工作電流（mA） 118
工作溫度（°C） 0~ 95
I / O行數（位） 16
供應商包裝 FBGA
標準包裝名稱 BGA
針數 90
安裝 表面貼裝
包裝長度/寬度 13.3/7.5
